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低噪聲的內(nèi)置場(chǎng)效應(yīng)管的半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器

發(fā)布日期：2016-06-30  點(diǎn)擊次數(shù)： 10740
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器使用的光電二極管和一級(jí)前置放大器的場(chǎng)效應(yīng)管。現(xiàn)有的核輻射探測(cè)器使用的光電二極管和場(chǎng)效應(yīng)管為兩個(gè)部件，固定在同一基板上，彼此連接采用金絲點(diǎn)焊。由于金絲有大約10mm長(zhǎng)，其分布電容大約在0.2pf左右。
    本發(fā)明將光電二極管和場(chǎng)效應(yīng)管光刻在同一片硅片上，這樣場(chǎng)效應(yīng)管柵極和光電二極管之間幾乎是直接相連，大大降低分布電容，其分布電容大約在0.01~0.02pf。因此該系統(tǒng)因分布電容產(chǎn)生的噪聲遠(yuǎn)小于現(xiàn)有的核輻射探測(cè)器。

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